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Datos del producto:
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| VBO: | 28-36V | Tipo de VBO: | 32V |
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| Paquete: | A-405 | IBO: | 100μA |
| Tipo: | DIAC | Tipo del paquete: | A través del agujero |
| Material: | Silicio | Poder: | 150mW |
| Alta luz: | Diodo A 405 de DB6 Db3 axial,Diodo A 405 de DB4 Db3 axial,Db3 diodo A bidireccional 405 axial |
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CONDICIÓN DE PRUEBA
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SÍMBOLOS
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VALOR
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UNIDADES
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| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||
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Voltaje de continuación
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C=22nF
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VBO
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28 | 32 | 36 |
VOLTIOS
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Simetría del voltaje de continuación
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C=22nF
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I+VBOI-I-VBOI
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-3
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3 |
VOLTIOS
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Voltaje de continuación dinámico
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(NOTA 1)
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± I DE I D V
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5 |
VOLTIOS
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Voltaje de salida
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DIAGRAM2
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Vo
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5 |
VOLTIOS
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Corriente de continuación
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C=22nF
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IBO
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100 |
mA
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Tiempo de subida
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DIAGRAM3 |
tr
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1,5 |
ms
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Salida actual
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VR=0.5VBO
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IB
|
10 |
mA
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Disipación de poder en el circuito impreso
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TA=65 C
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Paladio
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150 |
mW
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Corriente máxima repetidor del en-estado
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tp=20ms
f=100Hz
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ITRM
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2 | |||
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Resistencias termales del empalme a ambiente
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RQJA
|
400 |
℃/W
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Resistencias termales del empalme a llevar
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RQJL
|
150 | ℃/W | |||
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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125 | ℃ | |||
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
