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Datos del producto:
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| Tipo: | DIAC | Material: | Silicio |
|---|---|---|---|
| Tipo del paquete: | SMD | paquete: | MINI MELF |
| Poder: | 150mW | VBO: | 28-36V |
| Tipo de VBO: | 32V | IBO: | 100μA |
| Alta luz: | Mini Melf Diac Trigger Diod,diac db4,diac db4 |
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CONDICIÓN DE PRUEBA
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SÍMBOLOS
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VALOR
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UNIDADES
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| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||
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Voltaje de continuación
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C=22nF
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VBO
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35 | 40 | 45 |
VOLTIOS
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Simetría del voltaje de continuación
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C=22nF
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I+VBOI-I-VBOI
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-3
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3 |
VOLTIOS
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Voltaje de continuación dinámico
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(NOTA 1)
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± I DE I D V
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5 |
VOLTIOS
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Voltaje de salida
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DIAGRAM2
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Vo
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5 |
VOLTIOS
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Corriente de continuación
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C=22nF
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IBO
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100 |
mA
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Tiempo de subida
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DIAGRAM3 |
tr
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1,5 |
ms
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Salida actual
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VR=0.5VBO
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IB
|
10 |
mA
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Disipación de poder en el circuito impreso
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TA=65 C
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Paladio
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150 |
mW
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Corriente máxima repetidor del en-estado
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tp=20µs
f=100Hz
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ITRM
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2 | |||
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Resistencias termales del empalme a ambiente
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RQJA
|
400 |
℃/W
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Resistencias termales del empalme a llevar
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RQJL
|
150 | ℃/W | |||
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-40 | 125 | ℃ | ||
| Tipo | Voltaje de continuación | Simetría máxima del voltaje de continuación | Corriente de continuación de Max. Peak | Voltaje de continuación de Max. Dynamic | Corriente del En-estado de Max. Peak | Paquete | ||
| V | V | μA | V | |||||
| Mínimo. | Tipo. | Máximo. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
