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Datos del producto:
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Material: | Silicio | paquete: | DO-27 |
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Temperatura de funcionamiento: | -65 a +175℃ | Voltaje reverso máximo: | 1000V |
Max. Forward Current: | 3A | Voltaje delantero máximo: | 1V |
Alta luz: | diodo de rectificador 3A,diodo de rectificador 1N5406,diodo de rectificador 1N5408 |
Diodo de rectificador estándar del silicio 3A 600V 800V 1000V 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
Dibujo del producto
SÍMBOLOS
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1N
5400
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1N
5401
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1N
5402
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1N
5403
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1N
5404
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1N
5405
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1N
5406
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1N
5407
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1N
5408
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UNIDADES
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | 560 | 700 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó actual 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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3,0 |
Amperios
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Mitad delantera máxima de la sobretensión sola 8.3ms onda sinusoidal sobrepuesta en carga clasificada (Método de JEDEC)
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IFSM
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150 |
Amperios
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A
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VF
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1,0 | VOLTIOS | ||||||||
Revés máximo TA=25 actual de DC en clasificado Voltaje de bloqueo de DC TA=100℃
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IR
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5,0 100 |
µA
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Capacitancia de empalme típica (NOTA 1)
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CJ
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30,0 |
PF
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Resistencia termal típica (NOTA 2)
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RθJA
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20,0 | ℃/W | ||||||||
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento gama
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TJ, TSTG
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-65 a +175 |
℃ |
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398