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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | Paquete: | SMA (DO-214AC) |
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| Max. Forward Current: | 1A | Voltaje reverso máximo: | 200V |
| Voltaje delantero máximo: | 1V | Max. Reverse Current: | 5uA |
| trr: | 35NS | Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C |
| Alta luz: | diodo del smd de 35ns es1d,rectificador rápido estupendo de 1A 200V,haga el diodo 214ac |
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Dimensión del producto
Características de producto
| SÍMBOLOS | ES1A | ES1B | ES1C | ES1D | ES1E | ES1G | ES1J | UNIDADES | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 |
VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 280 | 420 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 600 |
VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó actual en el ℃ TL=55
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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1 |
Amperios
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Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM
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30 |
Amperios
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A
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VF | 0,95 | 1,25 | 1,7 |
Voltios
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Revés máximo TA=25℃ actual de DC
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃
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IR
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5,0 50,0 |
µA | |||||||
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Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
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trr
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35 | ns | |||||||
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Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
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CJ
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15 | PF | |||||||
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Resistencia termal típica (NOTA 3)
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RθJA
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60 | ℃/W | |||||||
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-55 a +150
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℃ | |||||||
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
