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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | paquete: | DO-41 |
|---|---|---|---|
| trr: | 50ns | Voltaje delantero máximo: | 1.25V |
| Max. Forward Current: | 1A | Voltaje reverso máximo: | 600V |
| Alta luz: | mur160 diodo 1a 400v,MUR120 diodo 1a 200v,MUR160 diodo 1a 600v |
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| SÍMBOLOS | MUR 105 | MUR 110 | MUR 120 | MUR 140 | MUR 160 | MUR 180 | MUR 1100 | UNIDADES | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTIOS |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | VOLTIOS |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | VOLTIOS |
La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃ | YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1,0 | Amperios | ||||||
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | IFSM | 30 | Amperios | ||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 6.0A | VF | 0,95 | 1,25 | 1,65 | Voltios | ||||
Revés máximo TA=25℃ actual de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃10 | IR | 5,0 50,0 | µA | ||||||
Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1) | trr | 25 | 50 | 75 | ns | ||||
Capacitancia de empalme típica (NOTA 2) | CJ | 25,0 | PF | ||||||
Resistencia termal típica (NOTA 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a +150 | ℃ | ||||||
Dibujo del producto
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
