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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | trr: | 50ns |
|---|---|---|---|
| paquete: | DO-27 | Voltaje reverso máximo: | 200V |
| Max. Forward Current: | 3A | Voltaje delantero máximo: | 1V |
| Alta luz: | Diodo HER303,Diodo de rectificador 3A 200V,HER303 diodo 3A 200V |
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| SÍMBOLOS |
SU 301
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SU
302
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SU
303
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SU
304
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SU
305
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SU
306
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SU
307
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SU
308
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UNIDADES | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 560 | 700 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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3,0 |
Amperios
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Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM
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150,0 |
Amperios
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 6.0A
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VF | 1,0 | 1,3 | 1,7 |
Voltios
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Revés máximo TA=25℃ actual de DC
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃10
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5,0 150 |
µA | ||||||||
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Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
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trr
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50 | 70 | ns | ||||||
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Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
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CJ
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70,0 | 50,0 | PF | ||||||
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Resistencia termal típica (NOTA 3)
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RθJA
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20,0 | ℃/W | |||||||
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-65 a +150
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℃ | |||||||
Esquema del producto
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
