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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | trr: | 300ns |
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| Voltaje reverso máximo: | 1000V | Max. Forward Current: | 1A |
| Voltaje delantero máximo: | 1.3V | Paquete: | DO-41 |
| Alta luz: | diodo de 1A 1000V FRD,Diodo de FRD BA157,diodo BA159 de 0.7m m |
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| SÍMBOLOS | BA157S | BA158S | BA159S | ||
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BA157 | BA15S | BA159 | UNIDADES | ||
Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 400 | 600 | 1000 | VOLTIOS |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 280 | 420 | 700 | VOLTIOS |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 400 | 600 | 1000 | VOLTIOS |
La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃ | YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1,0 | Amperios | ||
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | IFSM | 30,0 | Amperios | ||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 6.0A | VF | 1,3 | Voltios | ||
Revés máximo TA=25℃ actual de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃10 | 5,0 50 |
µA | |||
Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1) | trr | 150 | 250 | 500 | ns |
Capacitancia de empalme típica (NOTA 2) | CJ | 15,0 | PF | ||
Resistencia termal típica (NOTA 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -65 a +150 | ℃ | ||
Dibujo del producto
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
