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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | trr: | 200ns |
|---|---|---|---|
| Paquete: | DO-41 | Voltaje reverso máximo: | 600V |
| Max. Forward Current: | 1A | Voltaje delantero máximo: | 1.2V |
| Alta luz: | Diodo de rectificador rápido de la recuperación 600v,HAGA el diodo rápido Trr 200ns de la recuperación 41,diodo 1N4935 |
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Dibujo del producto
| SÍMBOLOS | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | 1N 4933 | UNIDADES | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | VOLTIOS |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | VOLTIOS |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | VOLTIOS |
La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃ | YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1,0 | Amperios | ||||
Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) | IFSM | 30,0 | Amperios | ||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 6.0A | VF | 1,2 | Voltios | ||||
Revés máximo TA=25℃ actual de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃10 | 5,0 50 |
µA | |||||
Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1) | trr | 200 | ns | ||||
Capacitancia de empalme típica (NOTA 2) | CJ | 15,0 | PF | ||||
Resistencia termal típica (NOTA 3) | RθJA | 50,0 | ℃/W | ||||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -65 a +150 | ℃ | ||||
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
