|
Datos del producto:
|
| Tipo: | Diodo de transferencia | Tipo del paquete: | A través del agujero |
|---|---|---|---|
| Voltaje reverso máximo: | 100v | Max. Forward Current: | 0.15A |
| Max. Reverse Current: | 5μA | Voltaje delantero máximo: | 1V |
| paquete: | SOD-123 | Uso: | Fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor |
| Alta luz: | Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de SMD,diodo de transferencia rápido del poder más elevado,diodo 1n4148w |
||
Dibujo del producto
|
Parámetro
|
Símbolo
|
Valor
|
Unidad
|
|---|---|---|---|
|
Voltaje reverso máximo sin repetición
|
VRM
|
100
|
V
|
|
Voltaje reverso
|
VR
|
75 |
V
|
|
Corriente delantera rectificada media
|
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
|
150 |
mA
|
|
Corriente continua delantera
|
IFM
|
300
|
mA
|
|
Sobretensión delantera máxima sin repetición en t = µs 1
en t = ms 100
|
IFSM
|
2 1 |
|
|
Disipación de poder
|
Ptot
|
400 |
mW
|
|
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente
|
RθJA
|
450
|
℃/W
|
|
Gama de temperaturas de funcionamiento
|
Tj
|
- 65 a + 150
|
℃ |
|
Gama de temperaturas de almacenamiento
|
Tstg
|
- 65 a + 150
|
℃ |
|
Parámetro
|
Símbolo
|
Mínimo.
|
Máximo.
|
Unidad
|
|---|---|---|---|---|
|
Voltaje de avería reverso en IR = 1 µA
|
V (BR) R
|
75
|
-
|
V |
|
Voltaje delantero
en SI = 1 mA
en SI = 10 mA
en SI = 50 mA
en SI = 150 mA
|
VF
|
-
|
0,715
0,855
1
1,25
|
V
|
|
Corriente reversa máxima
en VR = 75 V
en VR = 20 V
en VR = 75 V, TJ =℃ 150
en VR = 25 V, TJ =℃ 150
|
IR
|
-
|
1
25
50
30
|
µA
nA
µA
µA
|
|
Capacitancia total en VR = 0 V, f = 1 megaciclo
|
CT
|
-
|
2 |
PF
|
|
Tiempo de recuperación reversa
en IRR = 0,1 X IR, SI = IR = 10 mA, RL = Ω 100
|
trr
|
-
|
4 |
ns
|
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
