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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | Paquete: | DO-41 |
|---|---|---|---|
| trr: | 500ns | Voltaje delantero máximo: | 1.3V |
| Voltaje reverso máximo: | 1000V | Max. Forward Current: | 1A |
| Alta luz: | Diodo rápido 0.6m m de la recuperación Fr107,Diodo rápido 1A 1000V de la recuperación,FR104 diodo 1A 1000V 0.6m m |
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| SÍMBOLOS |
Franco
101S
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Franco
102S
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Franco
103S
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Franco
104S
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Franco
105S
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Franco
106S
|
Franco
107S
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UNIDADES | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Franco
101
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Franco
102
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Franco
103
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Franco
104
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Franco
105
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Franco
106
|
Franco
107
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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1,0 |
Amperios
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Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM
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30,0 |
Amperios
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 6.0A
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VF
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1,3 |
Voltios
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Revés máximo TA=25℃ actual de DC
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃10
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5,0 50 |
µA
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Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
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trr
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150 | 250 | 500 | ns | ||||
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Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
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CJ
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15,0 | PF | ||||||
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Resistencia termal típica (NOTA 3)
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RθJA
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50,0 | ℃/W | ||||||
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-65 a +150
|
℃ | ||||||
Dibujo del producto
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
