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Datos del producto:
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Tipo del paquete: | A través del agujero DO-41 | Tipo: | Diodo ultrarrápido |
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Voltaje reverso máximo: | 1000V | Max. Forward Current: | 1A |
Voltaje delantero máximo: | 1.7V | Max. Reverse Current: | 5uA |
trr: | 75ns | Material: | Silicio |
Alta luz: | Diodo UF4006,diodo 1000v ultrarrápido 1a,Diodo UF4004 |
Dibujo del producto
Características de producto
SÍMBOLOS |
UF
4001
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UF
4002
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UF
4003
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UF
4004
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UF
4005
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UF
4006
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UF
4007
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UNIDADES | |
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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1,0 |
Amperios
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Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM
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30,0 |
Amperios
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||||||
Voltaje delantero instantáneo máximo en 6.0A
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VF | 1,0 | 1,7 |
Voltios
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|||||
Revés máximo TA=25℃ actual de DC
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃10
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IR
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5,0 50,0 |
µA | ||||||
Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
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trr
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50 | 75 | ns | |||||
Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
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CJ
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15,0 | PF | ||||||
Resistencia termal típica (NOTA 3)
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RθJA
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50,0 | ℃/W | ||||||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-55 a +150
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℃ |
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398