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los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

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los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

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Ampliación de imagen :  los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: trusTec
Certificación: ROHS
Número de modelo: 1N4148
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 5K PCS
Precio: Negotiable (EXW/FOB/CNF)
Detalles de empaquetado: 5K PCS por paquete de la munición, 100K PCS por el cartón.
Tiempo de entrega: 10 productos frescos de los días del trabajo
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 800KK PCS por mes

los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

descripción
Tipo: Diodo de transferencia Tipo del paquete: A través del agujero
paquete: DO-35 Voltaje reverso máximo: 100v
Max. Forward Current: 0.15A Max. Reverse Current: 5μA
Voltaje delantero máximo: 1V Uso: Fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
Alta luz:

diodo de silicio 1n4148

,

diodo del smd in4148

,

pequeño diodo de señal 1n4148

Paquete de cristal rápido 1N4148 IN4148 del diodo de transferencia de la pequeña velocidad de la señal DO-35

 

los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35 0

Dibujo del producto

 

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GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 
 
SÍMBOLOS
1N4148
UNIDADES
 Voltaje reverso máximo repetidor máximo
VRRM
100
VOLTIOS
 Voltaje máximo del RMS
VRMS
75
VOLTIOS
 La media máxima adelante rectificó 0,375" actual (9.5m m)   longitud de la ventaja en TA=25 C
YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
150
mAmps
 Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms   sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC)
IFSM
500
mAmps
 Voltaje delantero instantáneo máximo en 10mA
VF
1,0
Voltios
 Revés máximo TA=25 actual C VR=75V de DC
 en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100 C VR=20V
IR
5,0
50
µA
 Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
trr
4,0
ns
 Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
CJ
4,0
PF
 Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
TJ, TSTG
-65 a +200

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
 
NOTAS:
condición 1.Test: IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured en 1,0 megaciclos y el voltaje reverso aplicado de 4,0 voltios
 
CARACTERÍSTICAS
Diodo planar epitaxial del silicio
Diodos que cambian
disipación de poder 500mw
El soldar de alta temperatura garantizado
250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),
5 libras. tensión (2.3kg)
 
DATOS MECÁNICOS
Caso: Sobre sellado de cristal DO-35.
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,005 onzas, 0,14 gramos (DO-35)
 
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS 1N4148
 
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Contacto
Changzhou Trustec Company Limited

Persona de Contacto: Ms. Selena Chai

Teléfono: +86-13961191626

Fax: 86-519-85109398

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