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Datos del producto:
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| Material: | Silicio | paquete: | DO-41 |
|---|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento: | -65 a +175℃ | Max. Forward Current: | 1A |
| Voltaje reverso máximo: | 1000V | Voltaje delantero máximo: | 1V |
| Alta luz: | 1n4007 Smd,rectificador de diodo 1000v 1a,diodo de rectificador in4007 |
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embalaje estándar de la munición de la cinta del diodo de rectificador del silicio plástico 1000V 1N4007 IN4007 5K PCS
Dibujo del producto
| SÍMBOLOS |
1N
4001
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1N
4002
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1N
4003
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1N
4004
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1N
4005
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1N
4006
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1N
4007
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UNIDADES | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 |
VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 |
VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA=75℃
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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1,0 |
Amperios
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Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM
|
30 |
Amperios
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A
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VF
|
1,0 | VOLTIOS | ||||||
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Revés máximo TA=25℃ actual de DC
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100℃
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IR
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5,0 100 |
µA
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Capacitancia de empalme típica (NOTA 1)
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CJ
|
15,0 |
PF
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Resistencia termal típica (NOTA 2)
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RθJA
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50,0 | ℃/W | ||||||
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-65 a +175 | ℃ | ||||||
Curvas características
Persona de Contacto: Ms. Selena Chai
Teléfono: +86-13961191626
Fax: 86-519-85109398
